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MBRF1090CT-M3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vish

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更新时间:2026-1-2 20:00:00
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