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MBRD1035CTL_V01

SchottkyPowerRectifier,SwitchMode,10A,35V

TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-5-19 16:38:00
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