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Surface Mount Schottky Power Rectifier

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol

ONSEMI

安森美半导体

Surface Mount Schottky Power Rectifier

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol

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安森美半导体

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安森美半导体

更新时间:2025-10-28 13:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • MBRB1035-5位可编程同步降压,非同步,可调节的200mA LDO和板上的LDO

    描述 该IRU3007控制器IC是专为满足英特尔奔腾规范第IIa微处理器应用以及下一代家庭小六处理器。该IRU3007提供了一个单一芯片控制器集成电路的核心电压,LDO控制器的GTL +和一200mA的稳压器内部时钟供电,而须为奔腾II的应用程序。它还包含一个开关控制器转换为5V至3.3V稳压器板上使用的应用程序无论在型电源是理想的供应或不依赖于ATX电源供应器的3.3V输出。这些器件具有专利的拓扑结构在与一些外部元件的组合,所示的典型应用电路,将提供超过14A条的输出为一个板上直流/直流电流转换的同时自动提供正确的输出电压通过5位内部DAC。该IRU3007还特点,无损耗电

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