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MBR2H100SFT3G_V01

SurfaceMountSchottkyPowerRectifierPlasticSOD−123FLPackage

ThisdeviceusestheSchottkyBarrierprinciplewithalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Ideallysuitedforlowvoltage,high frequencyrectificationorasfreewheelingandpolarityprotection diodesinsurfacemountapplicationswherecompactsizeandweight arecriticaltothesystem

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-7-22 23:00:00
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