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MBR20120LCT

LOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

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BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd.

松浩电子松浩电子股份有限公司

BYTESONIC

1200VαSiCSiliconCarbideSchottkyBarrierDiode

Features •ProprietaryαSiCSchottkyBarrierDiodetechnology •Negligiblereverserecoverycurrent •Maximumoperatingjunctiontemperatureof175°C •Improvedswitchinglossesvs.Sibipolardiodes •Positivetemperaturecoefficientforeaseofparalleling Applications RenewableIndustr

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER

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PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER

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PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

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Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss

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PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

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更新时间:2025-5-20 23:00:00
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