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MBR20120CK

SchottkyBarrierRectifiers

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MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

MOSPEC

1200VαSiCSiliconCarbideSchottkyBarrierDiode

Features •ProprietaryαSiCSchottkyBarrierDiodetechnology •Negligiblereverserecoverycurrent •Maximumoperatingjunctiontemperatureof175°C •Improvedswitchinglossesvs.Sibipolardiodes •Positivetemperaturecoefficientforeaseofparalleling Applications RenewableIndustr

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER

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PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER

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PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss

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PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss

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PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT
更新时间:2025-5-14 17:40:00
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