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MBR10T100_V01

High Performance Schottky Generation 5.0, 10 A

FEATURES • 175 °C high performance Schottky diode • Very low forward voltage drop • Extremely low reverse leakage • Optimized VF vs. IR trade off for high efficiency • Increased ruggedness for reverse avalanche capability • RBSOA available • Negligible switching losses • Submicron trench t

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-11-19 17:39:00
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