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N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs . . . designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications up to 400 MHz range, in either single ended or push–pull configuration. • Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance MRF136

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POWER TRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W)

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 8.0 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 70 WATTS

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MB-136产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MB-136

  • 制造商

    Maxxtro

  • 功能描述

    Bulk

更新时间:2026-8-1 19:38:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2021-3-5
  • MB10FH5G0NL

    属性 参数值 商品目录 整流桥 反向峰值电压 1000V 平均整流电流(Io) 800mA 正向压降(Vf) 1V @ 800mA

    2020-9-4
  • MB1512EF全新原装现货

    可立即发货

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    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商

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  • MB3771-电源监控

    富士通MB3771目的是监测的一个或两个电源电压(+5 V和一个任意电压)在微处理器电路,例如,在大尺寸计算机的内存板。如果偏离电路的电源超过指定金额,然后MB3771产生复位信号微处理器。因此,计算机的数据是从意外删除保护。使用MB3771需要很少的外部元件。显示器只有一个+5 V电源供电,MB3771要求连接一个外部电容器。任意检测电压水平是由两个外部电阻。 MB3771是8针双列直插式,单,行包或节省空间的扁平封装。 特点 •高精度电压检测(VSA= 4.2 V±2.5%) •与磁滞用户可选择的阈值水平(VSB=1

    2012-11-18