型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MAZS082GML

封装/外壳:SC-79,SOD-523 包装:卷带(TR) 描述:DIODE ZENER 8.2V 150MW SSMINI2 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

Panasonic

松下

MAZS082GML

DIODE ZENER 9.1V 150MW SSMINI2

Panasonic

松下

GENERAL PURPOSE J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

Description The TL082, TL082A and TL082B are high speed JFET input dual operational amplifiers incorporating well matched, high voltage JFET and bipolar transistors in a monolithic integrated circuit. The devices feature high slew rates, low input bias and offset current, and low offset volt

STMICROELECTRONICS

意法半导体

DUAL J-FET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER?

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NJRC

日本无线

SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE

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ZETTLER

ZETTLER Electronics

SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE

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ZETTLER

ZETTLER Electronics

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ZETTLER

ZETTLER Electronics

MAZS082GML产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MAZS082GML

  • 功能描述

    DIODE ZENER 8.2V 150MW SSMINI-2

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - 电压 -

  • 齐纳(标称)(Vz)

    36V 电压 - 在 If

  • 时为正向(Vf)(最大)

    900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr

  • 时反向漏电

    100nA @ 27V

  • 容差

    ±5% 功率 -

  • 最大

    200mW

  • 阻抗(最大)(Zzt)

    70 欧姆

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SC-70,SOT-323

  • 供应商设备封装

    SOT-323

  • 包装

    剪切带(CT)

  • 工作温度

    -65°C ~ 150°C

  • 产品目录页面

    1585(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

更新时间:2025-12-29 23:01:00
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PANASON/松下
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