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位置：首页 > IC中文资料第2389页 > MAZS043

MAZS043价格

参考价格：￥0.1170

型号：MAZS0430ML 品牌：Panasonic 备注：这里有MAZS043多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MAZS043批发/采购报价，MAZS043行情走势销售排行榜，MAZS043报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MAZS043

Silicon planar type

文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages

PANASONIC

松下

MAZS0430H

Silicon planar type

文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages

PANASONIC

松下

MAZS0430L

Silicon planar type

文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages

PANASONIC

松下

MAZS0430M

Silicon planar type

文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages

PANASONIC

松下

MAZS0430ML

封装/外壳：SC-79，SOD-523 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ZENER 4.3V 150MW SSMINI2 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

PANASONIC

松下

MAZS0430ML

DIODE ZENER 4.3V 150MW SSMINI2

PANASONIC

松下

MAZS043GML

封装/外壳：SC-79，SOD-523 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 4.3V 150MW SSMINI2 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

PANASONIC

松下

MAZS043GML

DIODE ZENER 4.7V 150MW SSMINI2

PANASONIC

松下

MX043G

RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Features • Harris FSC260R die • total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits • dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80BVDSS typical • dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID £IDM typical • neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits • photocurrent: 17 nA/RAD(Si)

MICROSEMI

美高森美

MX043J

RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Features • Harris FSC260R die • total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits • dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80BVDSS typical • dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID £IDM typical • neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits • photocurrent: 17 nA/RAD(Si)

MICROSEMI

美高森美

STUB043

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

VBR: 6.8 - 440 Volts PPK: 400 Watts FEATURES : * 400W surge capability at 1ms * Excellent clamping capability * Low zener impedance * Fast response time : typically less then 1.0 ps from 0 volt to VBR(min.) * Typical IR less then 1mA above 10V

EIC

STUP043

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

VBR : 6.8 - 440 Volts PPK : 400 Watts FEATURES : * 400W surge capability at 1ms * Excellent clamping capability * Low zener impedance * Fast response time : typically less then 1.0 ps from 0 volt to VBR(min.) * Typical IR less then 1mA above 10V * Pb / RoHS Free

EIC

MAZS043产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MAZS043

  • 功能描述

    DIODE ZENER 4.3V 150MW SS MINI

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - 电压 -

  • 齐纳（标称）(Vz)

    36V 电压 - 在 If

  • 时为正向(Vf)（最大）

    900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr

  • 时反向漏电

    100nA @ 27V

  • 容差

    ±5% 功率 -

  • 最大

    200mW

  • 阻抗（最大）(Zzt)

    70 欧姆

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SC-70，SOT-323

  • 供应商设备封装

    SOT-323

  • 包装

    剪切带(CT)

  • 工作温度

    -65°C ~ 150°C

  • 产品目录页面

    1585(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

MAZS043供应商更多...

更新时间：2026-3-14 17:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市创新迹电子有限公司
MAZS0430HL
PANASONIC
22+
SOD523
20000
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深圳市振宏微科技有限公司
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PANASONIC
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MAZS043G
Panasonic
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PANASONIC/松下
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