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位置：首页 > IC中文资料第2244页 > MAX189BCWE-T

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
LN189L

GaAlAs Infrared Light Emitting Diode

GaAlAs Infrared Light Emitting Diode Light source for distance measuring systems Features ● High-power output, high-efficiency : PO = 5.5 mW (typ.) ● Fast response and high-speed modulation capability : tr, tf = 20 ns (typ.) ● Infrared light emission close to monochromatic light : λP = 880 nm

PANASONIC

松下

LN189M

GaAlAs Infrared Light Emitting Diode

GaAlAs Infrared Light Emitting Diode Light source for distance measuring systems ■ Features • High-power output, high-efficiency: PO = 5.5 mW (typ.) • Fast response and high-speed modulation capability: tr, tf = 20 ns (typ.) • Infrared light emission close to monochromatic light: λP = 880 nm

PANASONIC

松下

LN189S

GaAlAs Infrared Light Emitting Diode

GaAlAs Infrared Light Emitting Diode Light source for distance measuring systems Features ● High-power output, high-efficiency : PO = 5.5 mW (typ.) ● Fast response and high-speed modulation capability : tr, tf =20 ns (typ.) ● Infrared light emission close to monochromatic light : λP = 880 nm(

PANASONIC

松下

NTE189

Silicon Complementary Transistors High Voltage Amplifier & Driver

Description: The NTE188 (NPN) and NTE189 (PNP) are complementary silicon transistors in a TO202N type package designed for general purpose, high voltage amplifier and driver applications. Features: • High Collector–Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO = 80V @ IC = 1mA • High Power Dis

NTE

TG-189

HIGH ENERGY SPARK GAP DEVICES

DESCRIPTION CP Clare’s TG Legacy Series of two electrode sparkgaps excel in applications that require the efficient transfer of high voltage, high energy pulses and DC overvoltage protection for magnetrons, diodes, capacitors, etc. The TG Legacy Series also includes three electrode triggered sp

CLARE

Clare, Inc.

MAX189BCWE-T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MAX189BCWE-T

  • 功能描述

    模数转换器 - ADC

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 通道数量

    2

  • 结构

    Sigma-Delta

  • 转换速率

    125 SPs to 8 KSPs

  • 分辨率

    24 bit

  • 输入类型

    Differential

  • 信噪比

    107 dB

  • 接口类型

    SPI

  • 工作电源电压

    1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    VQFN-32

MAX189BCWE-T供应商更多...

更新时间：2026-3-16 19:51:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
LN1F60-5053
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