MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS

[EDAL]

FPGA

CME-M7(华山)集成了主流的ARM Cortex-M3内核和高性能FPGA。其中FPGA部分采用高达12K容量的新型LP （Logic Parcel，逻辑包）结构，优化了FPGA与Cortex-M3内核的通信接口，客户可根据设计需求在FPGA上实现不同类型接口。同时，内置的Cortex-M3内核结构基于FPGA应用也进行了优化，数据与程序空间均动态可调。通过将FPGA、CPU、SRAM、ASIC、Flash以及模拟单元等功能模块集成在单一芯片上，CME-M7不仅极大的降低了工程师的开发设计难度，有效减小了所需的板间面积还极大的降低了系统成本，具备超高系统性价比。CME-M7具备丰富的I/O • ARM Cortex-M3 内核与大容量FPGA无缝结合\r\n• ARM Cortex-M3内核最大频率300MHz\r\n• 丰富的I/O资源与封装，以硬核形式整合以太网、USB、CAN、DMA控制器以及DDR控制器等外设\r\n• 灵活的DSP基于Efuse和SPI的保密机制\r\n• 超高系统性价比;

FPGA

CME-M7(华山)集成了主流的ARM Cortex-M3内核和高性能FPGA。其中FPGA部分采用高达12K容量的新型LP （Logic Parcel，逻辑包）结构，优化了FPGA与Cortex-M3内核的通信接口，客户可根据设计需求在FPGA上实现不同类型接口。同时，内置的Cortex-M3内核结构基于FPGA应用也进行了优化，数据与程序空间均动态可调。通过将FPGA、CPU、SRAM、ASIC、Flash以及模拟单元等功能模块集成在单一芯片上，CME-M7不仅极大的降低了工程师的开发设计难度，有效减小了所需的板间面积还极大的降低了系统成本，具备超高系统性价比。CME-M7具备丰富的I/O • ARM Cortex-M3 内核与大容量FPGA无缝结合\r\n• ARM Cortex-M3内核最大频率300MHz\r\n• 丰富的I/O资源与封装，以硬核形式整合以太网、USB、CAN、DMA控制器以及DDR控制器等外设\r\n• 灵活的DSP基于Efuse和SPI的保密机制\r\n• 超高系统性价比;

500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts

Features • Low Leakage • Low Zener Impedance • High Reliability

Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply

Features • Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW are ideally suited for stabilized power supply, etc. • Wide spectrum from 1.6 V through 38 V of zener voltage provide flexible application.

Silicon Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply

Features • Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW. • Wide spectrum from 1.9 V through 38 V of zener voltage provide flexible application. • LLD Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

Silicon Planar Zener Diode for Low Noise Application

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