型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Bottom-side cooled 650 V E-mode GaN transistor

Features • 650 V enhancement mode power transistor • Bottom-side cooled configuration • RDS(on) = 200 mΩ • IDS(max) = 7.5 A • Ultra-low FOM die • Low inductance GaNPX® package • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 V / +10 V) • Very high switchi

GAN

12.70mm (.500) Pitch Beau??PCB Tri-Barrier Terminal Strip, with Mounting Ends, 600V, 2 Circuits

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Molex

莫仕

6.35mm Pitch Beau PCB Tri-Barrier Terminal Strip, without Mounting Ends

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Molex

莫仕

M66502AAAEJT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M66502AAAEJT

  • 制造商

    Integrated Device Technology Inc

  • 功能描述

    Controlled Oscillator 622.08MHz/666.5143MHz VCSO LVPECL 6-Pin T/R

更新时间:2026-1-3 16:26:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
JST/日压
2508+
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415341
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GANSYSTEMS
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