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Bottom-sidecooled650VE-modeGaNtransistor

Features •650Venhancementmodepowertransistor •Bottom-sidecooledconfiguration •RDS(on)=200mΩ •IDS(max)=7.5A •Ultra-lowFOMdie •LowinductanceGaNPX®package •Simplegatedriverequirements(0Vto6V) •Transienttolerantgatedrive(-20V/+10V) •Veryhighswitchi

GAN

GaN Systems

GAN

12.70mm(.500)PitchBeau??PCBTri-BarrierTerminalStrip,withMountingEnds,600V,2Circuits

文件:203.48 Kbytes Page:3 Pages

MOLEX5Molex Electronics Ltd.

莫仕

MOLEX5

6.35mmPitchBeauPCBTri-BarrierTerminalStrip,withoutMountingEnds

文件:34.56 Kbytes Page:2 Pages

MOLEX11Molex Electronics Ltd.

莫仕

MOLEX11

M66502AAAEJT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M66502AAAEJT

  • 制造商

    Integrated Device Technology Inc

  • 功能描述

    Controlled Oscillator 622.08MHz/666.5143MHz VCSO LVPECL 6-Pin T/R

更新时间:2025-7-23 12:17:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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