型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
M59DR008E120N6T

8Mbit512Kbx16,DualBank,PageLowVoltageFlashMemory

DESCRIPTION TheM59DR008isan8Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

M59DR008E120N6T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M59DR008E120N6T

  • 功能描述

    闪存 8M(512Kx16) 120ns

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度

    1 bit

  • 存储类型

    Flash

  • 存储容量

    2 MB

  • 结构

    256 K x 8

  • 接口类型

    SPI

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.3 V

  • 最大工作电流

    15 mA

  • 工作温度

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-7-29 14:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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BGA
880000
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