型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
M58WR064EB70ZB6T

64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

SUMMARY DESCRIPTION The M58WR064E is a 64 Mbit (4Mbit x16) non-volatile Flash memory that may be erased electrically at block level and programmed in-system on a Word-by-Word basis using a 1.65V to 2.2V VDD supply for the circuitry and a 1.65V to 3.3V VDDQ supply for the Input/Output pins. An opt

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M58WR064EB70ZB6T

封装/外壳:56-VFBGA 包装:托盘 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA 集成电路(IC) 存储器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M58WR064EB70ZB6T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M58WR064EB70ZB6T

  • 功能描述

    闪存 64M(4Mx16) 70ns

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度

    1 bit

  • 存储类型

    Flash

  • 存储容量

    2 MB

  • 结构

    256 K x 8

  • 接口类型

    SPI

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.3 V

  • 最大工作电流

    15 mA

  • 工作温度

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MRON/美光
24+
NA/
2016
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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ICFLASH64MBIT70NS56VFBGA
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