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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead

TUOFENG

拓锋半导体

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百通

Ideal resistor for precision instrumentation

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TTELECTT Electronics.

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更新时间:2025-8-9 20:00:01
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