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M470T3354CZ3-CLE6

DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC

Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Ad

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

M470T3354CZ3-CLE6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M470T3354CZ3-CLE6

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC

更新时间:2025-8-6 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
23+
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
SMART
三年内
1983
只做原装正品
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2447
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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全新原装正品现货,支持订货
SAMSUNG
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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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BGA
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DDR2SO-DIMM/512MBDDR2SO/
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原装香港现货真实库存。低价
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一级代理/放心采购
SAM
24+
6

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