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M470T2953CZ0-E6

DDR2 Unbuffered SODIMM

Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Ad

Samsung

三星

M470T2953CZ0-E6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M470T2953CZ0-E6

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    DDR2 Unbuffered SODIMM

更新时间:2025-8-8 11:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
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