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M470T2953BSY0-CD5SLASHCC

200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC

Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC

Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re

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三星三星半导体

Samsung
更新时间:2025-8-6 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
23+
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
SMART
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