位置：首页 > IC中文资料第9999页 > M2S56D40ATP-10L
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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M2S56D40ATP-10L | 256M Double Data Rate Synchronous DRAM DESCRIPTION M2S56D20AKT is a 4-bank x 16,777,216-word x 4-bit, M2S56D30AKT is a 4-bank x 8,388,608-word x 8-bit, M2S56D40AKT is a 4-bank x 4,194,304-word x 16-bit, double data rate synchronous DRAM, with SSTL_2 interface. All control and address signals are referenced to the rising edge of CLK | Mitsubishi 三菱电机 |   | |
256M Double Data Rate Synchronous DRAM DESCRIPTION M2S56D20AKT is a 4-bank x 16,777,216-word x 4-bit, M2S56D30AKT is a 4-bank x 8,388,608-word x 8-bit, M2S56D40AKT is a 4-bank x 4,194,304-word x 16-bit, double data rate synchronous DRAM, with SSTL_2 interface. All control and address signals are referenced to the rising edge of CLK | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
256M Double Data Rate Synchronous DRAM 文件：824.21 Kbytes Page：37 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | |
M2S56D40ATP-10L产品属性
- 类型
描述
- 型号
M2S56D40ATP-10L
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
256M Double Data Rate Synchronous DRAM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIT |
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