位置：首页 > IC中文资料 > M29W400B-120N6R
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
M29W400B-120N6R | 4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory DESCRIPTION The M29W400 is a non-volatile memory that may be erased electrically at the block or chip level and programmedin-systemon a Byte-by-Byteor Wordby-Wordbasis using onlya single 2.7V to 3.6V VCC supply. For Program and Erase operations the necessary high voltages are generated internally | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory DESCRIPTION The M29W400 is a non-volatile memory that may be erased electrically at the block or chip level and programmedin-systemon a Byte-by-Byteor Wordby-Wordbasis using onlya single 2.7V to 3.6V VCC supply. For Program and Erase operations the necessary high voltages are generated internally | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
23+ |
TSOP48 |
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ST |
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M29W400BB55N1 |
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2019-2-26
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