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位置：首页 > IC中文资料第1813页 > M28W160ECT70ZB6U

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
M28W160ECT70ZB6U

16Mbit(1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
M28W160ECT70ZB6U

16Mbit(1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX
M28W160ECT70ZB6

16Mbit(1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX
M28W160ECT70ZB6U TR

封装/外壳：46-TFBGA 包装：托盘 描述：IC FLASH 16MBIT 70NS 46TFBGA 集成电路（IC） 存储器

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron
M28W160ECT70ZB6E

16Mbit(1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX
M28W160ECT70ZB6E

16Mbit(1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
M28W160ECT70ZB6F

16Mbit(1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
M28W160ECT70ZB6F

16Mbit(1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

SUMMARYDESCRIPTION TheM28W160ECisa16Mbit(1Mbitx16)nonvolatileFlashmemorythatcanbeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasis.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.VDDQallowstodrivethe

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX

M28W160ECT70ZB6U产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M28W160ECT70ZB6U

  • 功能描述

    IC FLASH 16MBIT 70NS 46TFBGA

  • RoHS

    是

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 标准包装

    136

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存储容量

    18M（1M x 18）

  • 速度

    200MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    165-TBGA

  • 供应商设备封装

    165-CABGA（13x15）

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71P71804S200BQ

M28W160ECT70ZB6U供应商更多...

更新时间：2024-5-14 14:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市勤思达科技有限公司
M28W160ES
ST
10+
FBGA
7800
全新原装正品,现货销售
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瀚佳科技(深圳)有限公司
M28W160ECT70ZB6UTR
Micron Technology Inc.
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46-TFBGA(6.39x6.37)
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深圳市凯斯宇科技有限公司
M28W160ECT70ZB6U
Numonyx-ADIVISIONOFMICRO
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ICFLASH16MBIT70NS46TFBGA
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华富测量(深圳)传感技术有限公司
M28W160ECT70ZB6U
MICRON/镁光
2021+
NA
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深圳市科恒伟业电子有限公司
M28W160ECT70ZB6U
Micron
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BGA
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M28W160ECT70ZB6其他被动元件
ST/意法
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TFBGA46
10000
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司
M28W160ECT70ZB6UTR
MicronTechnologyInc.
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46-TFBGA(6.39x6.37)
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M28W160ES
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M28W160ECT70ZB6U
Numonyx/STMi
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46-TFBGA
65480
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深圳市壹芯创科技有限公司
M28W160ES
ST
22+
BGA
5000
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