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M28R400CT120ZB6T	4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M28R400C is a 4 Mbit (256Kbit x 16) non-volatile Flash memory that can be erased electrically at the block level and programmed in-system on a Word-by-Word basis. These operations can be performed using a single low voltage (1.65 to 2.2V) supply. VDDQ allows to drive the I	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M28R400CT120ZB6	4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M28R400C is a 4 Mbit (256Kbit x 16) non-volatile Flash memory that can be erased electrically at the block level and programmed in-system on a Word-by-Word basis. These operations can be performed using a single low voltage (1.65 to 2.2V) supply. VDDQ allows to drive the I	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M28R400CT120ZB6U	4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M28R400C is a 4 Mbit (256Kbit x 16) non-volatile Flash memory that can be erased electrically at the block level and programmed in-system on a Word-by-Word basis. These operations can be performed using a single low voltage (1.65 to 2.2V) supply. VDDQ allows to drive the I	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更新时间：2025-11-20 23:00:00

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M28W160ECB70ZB6 ST/Micron
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2021-11-11
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2021-5-19
M27C512-15F1 储存器代理渠道，进口原装
M27C512-15F1 代理渠道，进口原装
2020-10-29
M28C64-A256，M28C64C-15M6，M28C64C-20M1，M28C64X-15M1，M28F101-100K1，M28LV16-25M6，M28LV17-25M6，M28LV64C-20M6，M29F102B-70K1，M34116B1，M74HC00，M74ACT74，M74ACT257，M74HC163，M74HC04，M74HC123
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2019-12-29
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深圳市顺德利科技有限公司 0755-82725660 18128853661（微信75056055） QQ：782954141
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