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M28F101-120K1	1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY DESCRIPTION The M28F101 FLASH Memory is a non-volatile memory which may be erased electrically at the chip level and programmed byte-by-byte. It is or ganised as 128K bytes of 8 bits.It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provides a simple microprocess	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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M28F101-120K6	1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY DESCRIPTION The M28F101 FLASH Memory is a non-volatile memory which may be erased electrically at the chip level and programmed byte-by-byte. It is or ganised as 128K bytes of 8 bits.It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provides a simple microprocess	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更新时间：2025-12-24 17:57:00

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深圳市星佑电子有限公司	M28F101-120N1	ST	05+	原厂原装	12697	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市诺美思科技有限公司	M28F101-120KI	SST		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
深圳市中飞凌科技有限公司	M28F101-120K6	ST	26+	PLCC28	60000	只有原装可配单	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	M28F101-120KL	ST	25+	标准封装	18000	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市一线半导体有限公司	M28F101-120K6		24+		3000	公司存货	询价

M28W160ECB70ZB6 ST/Micron
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2021-11-11
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2021-5-19
M27C512-15F1 储存器代理渠道，进口原装
M27C512-15F1 代理渠道，进口原装
2020-10-29
M28C64-A256，M28C64C-15M6，M28C64C-20M1，M28C64X-15M1，M28F101-100K1，M28LV16-25M6，M28LV17-25M6，M28LV64C-20M6，M29F102B-70K1，M34116B1，M74HC00，M74ACT74，M74ACT257，M74HC163，M74HC04，M74HC123
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2019-12-29
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深圳市顺德利科技有限公司 0755-82725660 18128853661（微信75056055） QQ：782954141
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2019-6-18