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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

40-V N-Channel NexFET Power MOSFET

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TI1

德州仪器

CSD18510KTT 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET

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德州仪器

CSD18510KTT 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET

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德州仪器

更新时间:2025-8-13 18:38:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
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TI(德州仪器)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
TI原现特价
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TO-220-3
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市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号

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