数字高精度温度传感芯片

M1601系列是高精度数字模拟混合信号温度传感芯片，最高测温精度为±0.1℃或±0.5℃，用户无需进行校准。\n温度芯片感温原理基于CMOS半导体PN节温度与带隙电压的特性关系，经过小信号放大、模数转换、数字校准补偿后，数字总线输出，具有精度高、一致性好、测温快、功耗低、可编程配置灵活、寿命长等优点。\n温度芯片内置16-bit ADC，分辨率0.004°C，具有-70°C到+150°的超宽工作范围。芯片有唯一的64位ID序列号，在出厂前经过100%的测试校准，根据温度误差特性进行校准系数的拟合，芯片内部自动进行补偿计算。为了简化系统应用，芯片的ID搜索、测温数据内存访问、功能配置等均 - 最高测温精度：±0.1℃或±0.5℃\n- 测温范围：-70°C ~ +150°C\n- 低功耗：测温平均电流5.2μA@3.3V，1s周期\n- 宽工作电压范围：1.8V~5.5V\n- 感温分辨率：16位输出，最高分辨率0.004°C\n- 温度转换时间可配置：10.5ms/5.5ms/4ms\n- 可配制单次/周期测量\n- 用户可设置温度报警\n- 32 bit额外E2PROM空间用于存放用户信息\n- 每颗芯片有64bit的ID序列号，便于多点组网寻址\n- 标准单总线接口;

MICROWAVE POWER GaAs FET

High-power GaAs FET (small signal gain stage) S to X BAND / 0.15W non - matched DESCRIPTION The MGF1601B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic

Silicon PNP(NPN) epitaxial planer transistor

Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1) Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2) For general amplification ■ Features ● Two elements incorporated into one package. (Emitter-coupled transistors) ● Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

PLLatinum??Low Cost Dual Frequency Synthesizer

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PLLatinum??Low Cost Dual Frequency Synthesizer

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