位置:LGB8206ARI > LGB8206ARI详情

LGB8206ARI中文资料

厂家型号

LGB8206ARI

文件大小

443.73Kbytes

页面数量

9

功能描述

350 V, 20 A N-Channel Ignition IGBT

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

LITTELFUSE

LGB8206ARI数据手册规格书PDF详情

Description

This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.

Features

• Integrated ESD Diode Protection

• Low Threshold Voltage Interfaces Power Loads to Logic or Microprocessor Devices

• Low Saturation Voltage

• High Pulsed Current Capability

• AEC-Q101 Qualified

更新时间:2025-11-1 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LUCENT
24+
11665
LRC/乐山
24+
SOD-323
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
LRC/乐山
23+
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
LRC
22+
SOD-323
7288
原装现货
LRC/乐山
23+
SOD-323
50000
原装正品 支持实单
KEL
2450+
9850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
JONES
25+
0603
10000
全新原装现货库存
Taiyo
23+
2520
9868
专做原装正品,假一罚百!
TDK
23+
SMD被动器件正迈科技
800000
电感磁珠电容系列样品可出支持批量特价,原装元器件供应,支持开发样品
台产
25+
1008
4500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可