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MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Applications • Power Management Switches Features (1) 1.2 V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1110 mΩ (typ.) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 780 mΩ (typ.) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 650 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 510 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 400 mΩ (typ.)

TOSHIBA

东芝

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-3 15:36:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
23+
SOT23-3
60000
原装正品,假一罚十
TOSH
SOT23
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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SOT-23
50000
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TOSHIBA/东芝
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396175
原装原装原装

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