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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -100V, -7A, RDS(ON) = 270mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -100V, -7A, RDS(ON) = 270mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

更新时间:2025-12-27 16:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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