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NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Complementary PNP Type Available (MMBT4126) ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching

TRSYS

Transys Electronics

NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

SAMSUNG

三星

Amplifier Transistors

Amplifier Transistor NPN Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

24 mm Discrete HFET

24 mm Discrete HFET • 0.5 um gate finger length • Nominal Pout of 12 Watts at 2.3 GHz • Nominal PAE of 51.5 at 2.3 GHz • Nominal Gain of 10.8 dB at 2.3 GHz • Die size 36.0 x 81.0 x 4.0 mils (0.914 x 2.057 x 0.102 mm)

TRIQUINT

Amplifier Transistor(NPN Silicon)

文件:57.14 Kbytes Page:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2026-3-18 18:31:01
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