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P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   | |
4VDrivePchSBDMOSFET 文件：86.94 Kbytes Page：5 Pages | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
9250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ROHM/罗姆 |
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TSMT6 |
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Rohm |
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MOSFET |
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全新原装优势 |
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ROHM |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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ROHM |
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ROHM |
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SOT-163 |
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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ROHM |
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ROHM |
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ROHM |
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一级代理分销/放心采购 |
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ROHM |
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2023-3-13LT6600-5 组合了一个全差分放大器
大多数差分放大器都需要使用很多精准的外部元件，以修整增益和带宽。与此大不相同的是，当采用LT6600-5时，可由两个外部电阻器来设置差分增益，而且滤波器的5MHz截止频率和通带纹波是在内部设定的。LT6600-5还提供了用于设定其输出共模电压所必需的电平移动，以适应A/D
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描述在LT®6650是一种微功耗，低电压400mV的参考。经营与物资从1.4V至18V时，器件仅消耗五点六毫安典型，使其成为理想的低电压系统以及和手持仪器工业控制系统。只有两个电阻的内部缓冲放大器可以400mV的参考规模任何需要的价值高达电源电压。该引用postpackage微调，以增加输出精度。输出可吸收并提供200mA的温度过高。静态功耗为28mW。稳定是确保与任何输出或电容器的1mF高。LT6650是该系列的最低电压可供参考在5引脚SOT-23封装。特征低静态电流5.6毫安（典型）宽
2013-3-19
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