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DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-5.3A,RDS(ON)=45mW@VGS=-10V. RDS(ON)=80mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

BeadedTies

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HeycoHeyco.

海科

Heyco

ORgate

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FESTOFesto Corporation.

费斯托

FESTO

MigratingamicrocontrollerapplicationfromSTM32F1toSTM32F2series

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

DUAL1A,1.5MHzSYNCHRONOUSSTEP-DOWNDC-DCCONVERTER

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DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
更新时间:2025-5-31 20:00:01
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