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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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LT1167IN8 | Single Resistor Gain Programmable, Precision Instrumentation Amplifier 文件:426.87 Kbytes Page:20 Pages | LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体 | ||
LT1167IN8 | Single Resistor Gain Programmable, Precision Instrumentation Amplifier 文件:304.39 Kbytes Page:20 Pages | LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体 |
LT1167IN8产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1167IN8
- 功能描述
IC PREC INSTRMNT-AMP PROG 8-DIP
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
- 系列
-
- 标准包装
1
- 系列
-
- 放大器类型
通用
- 电路数
4
- 输出类型
满摆幅
- 转换速率
0.028 V/µs
- 增益带宽积
105kHz
- -3db带宽
- 电流 -
- 输入偏压
3nA 电压 -
- 输入偏移
100µV 电流 -
- 电源
3.3µA 电流 -
- 输出/通道
12mA 电压 -
- 电源,单路/双路(±)
2.7 V ~ 12 V,±1.35 V ~ 6 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
14-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
- 供应商设备封装
14-TSSOP
- 包装
剪切带(CT)
- 其它名称
OP481GRUZ-REELCT
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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LT |
24+ |
NA |
16860 |
原装正品现货支持实单 |
|||
ADI/亚德诺 |
2324+ |
SMD |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
|||
LT |
2511 |
NA |
20000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ADI/亚德诺 |
23+ |
PDIP-8 |
9990 |
只有原装 |
|||
LT |
24+ |
NA |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
LINEAR/凌特 |
23+ |
DIP8 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
Linear |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
LT |
25+ |
DIP8 |
2450 |
※※※原装大量库存特价销售※※※ |
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LINEAR/凌特 |
25+ |
DIP-8 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ADI(亚德诺)/LINEAR |
2447 |
PDIP-8 |
315000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
LT1167IN8规格书下载地址
LT1167IN8参数引脚图相关
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- m1s
- m1105
- lw26
- lvds
- lt15
- LT1175C
- LT1175
- LT1173
- LT1172M
- LT1172I
- LT1172C
- LT1172
- LT1171M
- LT1171I
- LT1171C
- LT1171
- LT1170M
- LT1170I
- LT1170C
- LT1170
- LT117
- LT1169
- LT1168I
- LT1168C
- LT1168AIN8#PBF
- LT1168AIN8
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- LT1168ACS8#TRPBF
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LT1175IS8#PBF 是一款低压差稳压器(LDO),由 Linear Technology(现亚德诺半导体 ADI)生产。
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2025-7-10LT1167CS8#TRPBF
进口代理
2022-10-20LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23LT1172CS8
SMD/SMT 开关稳压器 , TPS62823 开关稳压器 , SOT-23-6 开关稳压器 , 3.3 V 开关稳压器 , 5 V TO-263-5 LM2576 开关稳压器 , TPS61022 开关稳压器
2021-11-17LT1172IS8原装现货热卖
LT1172IS8开关稳压器 1.25A Pwr Sw Reg 100kHz
2021-2-3LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
DdatasheetPDF页码索引
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