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LT1160价格

参考价格：￥26.3973

型号：LT1160IS#PBF 品牌：Linear 备注：这里有LT1160多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，LT1160批发/采购报价，LT1160行情走势销售排行榜，LT1160报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
LT1160

半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

LT®1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。 在低供电电压或启动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞，因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。 LT1162 是 • 工作电压高达 60V 的浮动顶端驱动器开关 \n\n• 可把顶端 N 沟道 MOSFET 的栅极驱动至高于负载HV 电源电压 \n\n• 180ns 变换时间 (驱动 10,000pF) \n\n• 自适应非重叠栅极驱动可防止发生贯通 \n\n• 在高占空比条件下提供了顶端驱动器保护 \n\n• TTL/CMOS 输入电平 \n\n• 具迟滞的欠压闭锁 \n\n• 工作电源电压范围：10V 至 15V \n\n• 单独的顶端和底端驱动引脚;

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亚德诺

LT1160

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

文件：229.22 Kbytes Page：16 Pages

LINEAR

LT1160

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

文件：347.5 Kbytes Page：16 Pages

LINER

凌力尔特

LT1160

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

文件：239.8 Kbytes Page：16 Pages

LINER

凌力尔特

LT1160

High Speed Single/Dual N-Channel MOSFET Drivers

文件：247.61 Kbytes Page：20 Pages

LINER

凌力尔特

LT1160_1

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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LINEAR

LT1160_15

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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LINER

凌力尔特

LT1160CN

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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LINER

凌力尔特

LT1160CN

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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LINEAR

LT1160CS

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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LINEAR

LT1160CS

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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LINER

凌力尔特

LT1160CS#PBF

封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

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亚德诺

LT1160CS#TRPBF

封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

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亚德诺

LT1160IN

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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LINER

凌力尔特

LT1160IN

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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LINEAR

LT1160IS

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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LINEAR

LT1160IS

Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

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LINER

凌力尔特

FX1160

High Output, Short Arc Xenon Flashlamp with Internal Reflector

Description The FX-1160 Reflector Lamp has greater than 40 more usable light intensity than our standard FX-1150 and is completely interchangeable. PerkinElmer customers have the option of either taking advantage of the greatly increased light output or they can operate the FX-1160 at a reduced i

PERKINELMER

FX-1160

High Output, Short Arc Xenon Flashlamp with Internal Reflector

Description The FX-1160 Reflector Lamp has greater than 40 more usable light intensity than our standard FX-1150 and is completely interchangeable. PerkinElmer customers have the option of either taking advantage of the greatly increased light output or they can operate the FX-1160 at a reduced i

PERKINELMER

TDSL1160

Low Current 7 mm Seven Segment Display

Description The TDSL11.0 series are 7 mm character seven segment low current LED displays in a very compact package. The displays are designed for a viewing distance up to 3 meters and available in high efficiency red. The grey package surface and the evenly lighted untinted segments provide an

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

R1160N

SOT23-5 3-MODE 200mA LDO REGULATOR

文件：1.07729 Mbytes Page：27 Pages

RICOH

理光

LT1160产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LT1160

  • 制造商

    LINER

  • 制造商全称

    Linear Technology

  • 功能描述

    Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers

LT1160供应商更多...

更新时间：2026-8-1 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
LT1160IS#PBF
ADI(亚德诺)
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深圳市高捷芯城科技有限公司
LT1160IS#PBF
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深圳市威雅利发展有限公司
LT1160IS#PBF
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谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司
LT1160IS
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一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务
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深圳市赛尔通科技有限公司
LT1160CS#PBF
Linear
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14-SOIC
65600
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深圳市胜彬电子有限公司
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SOIC
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LT1160IS
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深圳市赛美科科技有限公司
LT1160CS
LT
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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    2023-3-20

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    进口代理

    2022-10-20

  • LT1166CS8#PBF

    www.58chip.com

    2022-5-23

  • LT1129IQ

    SOT-23-3 LDO稳压器，1个输出DFN-8 LDO稳压器，5 A LDO稳压器，1个输出固定3.8 V LDO稳压器，750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器，LT3080-1 LDO稳压器

    2020-7-28

  • LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器

    描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。

    2013-2-28

  • LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器

    描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2

    2013-2-27

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