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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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LT1158CN | Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver 文件：426.06 Kbytes Page：20 Pages | LINER 凌力尔特 |   | |
封装/外壳：16-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16DIP 集成电路（IC） 栅极驱动器 | AD 亚德诺 | | ||
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PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS DC/DC CONTROLLER FOR ADVANCED PROCESSORS DESCRIPTION The SC1158 is a low-cost, full featured, synchronous voltage-mode controller designed for use in single ended power supply applications where efficiency is of primary concern. Synchronous operation allows for the elimination of heat sinks in many applications. The SC1158 is ideal fo | SEMTECH 先之科 | | ||
PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS DC/DC CONTROLLER FOR ADVANCED PROCESSORS DESCRIPTION The SC1158 is a low-cost, full featured, synchronous voltage-mode controller designed for use in single ended power supply applications where efficiency is of primary concern. Synchronous operation allows for the elimination of heat sinks in many applications. The SC1158 is ideal fo | SEMTECH 先之科 | |
LT1158CN产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1158CN
- 功能描述
IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH 16DIP
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
5
- 系列
-
- 配置
低端
- 输入类型
非反相
- 延迟时间
600ns 电流 -
- 峰
12A
- 配置数
1
- 输出数
1 高端电压 -
- 最大（自引导启动）
-
- 电源电压
14.2 V ~ 15.8 V
- 工作温度
-20°C ~ 60°C
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
21-SIP 模块
- 供应商设备封装
模块
- 包装
散装
- 配用
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
- 其它名称
835-1063
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LINEAR |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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LT |
20+ |
16-Dip |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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Linear |
23+ |
16-DIP |
65600 |
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LT1158CN规格书下载地址
LT1158CN参数引脚图相关
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2022-5-23LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
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SOT-23-3 LDO稳压器，1个输出DFN-8 LDO稳压器，5 A LDO稳压器，1个输出固定3.8 V LDO稳压器，750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器，LT3080-1 LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
DdatasheetPDF页码索引
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