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LPV1500

PACKAGED LOW NOISE PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LPV1500 is an Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-write 0.25 µm by 1500 µm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate structure

FILTRONIC

LPV1500

1 W Power PHEMT

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更新时间:2025-12-25 14:19:00
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