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100 V, Low IQ, Synchronous Step-Down Controller for GaN FETs

GENERAL DESCRIPTION The LTC7891 is a high performance, step-down, dc-to-dc switching regulator controller that drives all N-channel synchronous gallium nitride (GaN) field effect transistor (FET) power stages from input voltages up to 100 V. The LTC7891 solves many of the challenges tradition

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亚德诺

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications ● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 48 mΩ (typ.) ● High forward transfer admittance : |Yfs| = 30 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 250 V) ● Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID

TOSHIBA

东芝

Demonstration board user guidelines

文件:304.53 Kbytes Page:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

G2995 Evaluation Board Manual

文件:140.45 Kbytes Page:4 Pages

GMT

致新科技

DDR Termination Regulator

文件:272.62 Kbytes Page:12 Pages

GMT

致新科技

更新时间:2025-8-16 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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