| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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LMTM2N15 | 丝印代码:NCE1502R;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:867.1 Kbytes Page:6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 | ||
2A, 120V and 150V, 1.750 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive | INTERSIL | |||
Drain Current ID= 2A@ TC=25C 文件:65.019 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
丝印代码:HM2N15PR;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:751.96 Kbytes Page:7 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |||
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件:1.57598 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NA |
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SMD |
17900 |
板上安装温度传感器 |
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2023-10-8LMT86QDCKTQ1
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2022-9-30LMT86QDCKRQ1
LMT86QDCKRQ1
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运算放大器 - 运放 LV SNGL OP AMP SC70
2020-8-5LMV321AS5X
LMV321AS5X
2019-8-23
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