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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Key Features: •Low rDS(on) trench technology •Low thermal impedance •Fast switching speed

AnalogPower

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON3816/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. AON3816 and AO3816L are electrica

AOSMD

万国半导体

20V N-Channel MOSFET

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更新时间:2025-8-7 11:08:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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