| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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丝印代码:C327;PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: BC337. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. driver and output stages of audio amplifiers. | PHILIPS 飞利浦 | |||
Amplifier Transistors(PNP)
| MOTOROLA 摩托罗拉 | |||
PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: JC337. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. driver and output stages of audio amplifiers. | PHILIPS 飞利浦 | |||
BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 100 to 500 MHz frequency range. • Guaranteed Performance @ 400 MHz, 28 Vdc Output Power = 80 Watts over 225 to 400 MHz Band Minimum Gain = 7.3 dB @ 400 MHz • Bu | MOTOROLA 摩托罗拉 | |||
Silicon NPN Transistor Power Amp, Switch Description: The NTE327 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for use in industrial amplifier and switching circuit applications. Features: ● High Collector–Emitter Sustaining Voltage ● High DC Current Gain ● Low Collector–Emitter Saturation Voltage ● Fast Switching Time | NTE |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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PHI |
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2020-7-8LM329AH-精密基准
LM129/LM329精密基准 一般描述 LM129和LM329的家庭多是精密电流温度补偿的参考动态6.9V齐纳阻抗10至100倍以上的分立二极管少。在一个单一的硅芯片建造,由LM129使用有源电路来缓冲内部齐纳允许设备对工作在0.5 mA至15毫安范围内,几乎性能没有变化。 LM129和LM329的可与0.001,0.002选定的温度系数,0.005和0.01%/° C的这些提法也有优秀的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供噪音低,更好的长期稳定性比传统集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以
2013-3-21
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