LM327价格
参考价格：￥622.3173
型号：LM3279EVM 品牌：TEXAS 备注：这里有LM327多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，LM327批发/采购报价，LM327行情走势销售排行榜，LM327报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
LM3279 Buck-Boost Converter With MIPI® RFFE Interface for 3G And 4G RF Power Amplifiers 1 Features 1• MIPI® RFFE Digital Control Interface • High-Efficiency PFM and PWM Modes with Internal Seamless Transition • Operates from a Single Li-Ion Cell: 2.7 V to 5.5 V • Adjustable Output Voltage: – RFFE Digital Control: 0.4 V to 4.2 V – Analog Control: 0.5 V to 4.2 V • 1-A Maximum L | TI 德州仪器 |   | ||
具有用于 3G 和 4G 射频功率放大器的 MIPI® RFFE 接口的降压-升压转换器 LM3279 是一款降压-升压 DC/DC 转换器，专为生成高于或低于给定输入电压的输出电压而设计，尤其适用于便携式 应用中由单节锂离子电池供电的功率放大器。 LM3279 具有四种运行模式：脉宽调制 (PWM)、脉频调制 (PFM)、待机模式和关断模式。在正常情况下，LM3279 在 2.4MHz 典型开关频率下以完全同步的 PWM 模式运行，可在降压与升压运行状态之间实现无缝切换。节能 PFM 模式提高了低功耗 RF 传输模式期间的效率，并且节省了流耗。对于高传输功率，此器件运行在 PWM 降压或升压模式下，而此器件可在低功耗传输期间在 PWM 和 PFM 模式之间转换。LM3279 可通 • MIPIRFFE 数字控制接口\n• 由单节锂离子电池供电运行：2.7V 至 5.5V\n• RFFE 数字控制：0.4V 至 4.2V \n• VBATT ≥ 3.2V，VOUT = 3.6V 时的最大负载能力为 1A\n• 无缝降压-升压模式转换\n• 高效率：95%（典型值）（VBATT= 3.7V、 VOUT= 3.3V、电流为 300mA）\n• 输出过压钳位\n• 内部补偿; | TI 德州仪器 | | ||
丝印代码：SJ4B；LM3279 Buck-Boost Converter With MIPI® RFFE Interface for 3G And 4G RF Power Amplifiers 1 Features 1• MIPI® RFFE Digital Control Interface • High-Efficiency PFM and PWM Modes with Internal Seamless Transition • Operates from a Single Li-Ion Cell: 2.7 V to 5.5 V • Adjustable Output Voltage: – RFFE Digital Control: 0.4 V to 4.2 V – Analog Control: 0.5 V to 4.2 V • 1-A Maximum L | TI 德州仪器 | | ||
丝印代码：SJ4B；LM3279 Buck-Boost Converter With MIPI® RFFE Interface for 3G And 4G RF Power Amplifiers 1 Features 1• MIPI® RFFE Digital Control Interface • High-Efficiency PFM and PWM Modes with Internal Seamless Transition • Operates from a Single Li-Ion Cell: 2.7 V to 5.5 V • Adjustable Output Voltage: – RFFE Digital Control: 0.4 V to 4.2 V – Analog Control: 0.5 V to 4.2 V • 1-A Maximum L | TI 德州仪器 | | ||
丝印代码：SJ4B；LM3279 Buck-Boost Converter With MIPI® RFFE Interface for 3G And 4G RF Power Amplifiers 1 Features 1• MIPI® RFFE Digital Control Interface • High-Efficiency PFM and PWM Modes with Internal Seamless Transition • Operates from a Single Li-Ion Cell: 2.7 V to 5.5 V • Adjustable Output Voltage: – RFFE Digital Control: 0.4 V to 4.2 V – Analog Control: 0.5 V to 4.2 V • 1-A Maximum L | TI 德州仪器 | | ||
丝印代码：SJ4B；LM3279 Buck-Boost Converter With MIPI® RFFE Interface for 3G And 4G RF Power Amplifiers 1 Features 1• MIPI® RFFE Digital Control Interface • High-Efficiency PFM and PWM Modes with Internal Seamless Transition • Operates from a Single Li-Ion Cell: 2.7 V to 5.5 V • Adjustable Output Voltage: – RFFE Digital Control: 0.4 V to 4.2 V – Analog Control: 0.5 V to 4.2 V • 1-A Maximum L | TI 德州仪器 | | ||
LM3279 Buck-Boost Converter with MIPI RFFE Interfacefor 3G and 4G RF Power Amplifiers 文件：1.61632 Mbytes Page：31 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Buck-Boost Converter 文件：1.61428 Mbytes Page：37 Pages | TI 德州仪器 | | ||
LM3279 Buck-Boost Converter With MIPI짰 RFFE Interface for 3G And 4G RF Power Amplifiers 文件：1.54865 Mbytes Page：37 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Buck-Boost Converter 文件：1.61428 Mbytes Page：37 Pages | TI 德州仪器 | | ||
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封装/外壳：16-WFBGA，DSBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC REG CONV 3G 1OUT 16DSBGA 集成电路（IC） 特殊用途稳压器 | TI 德州仪器 | | ||
Buck-Boost Converter 文件：1.61428 Mbytes Page：37 Pages | TI 德州仪器 | | ||
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封装/外壳：16-WFBGA，DSBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC REG CONV 3G 1OUT 16DSBGA 集成电路（IC） 特殊用途稳压器 | TI 德州仪器 | | ||
Buck-Boost Converter 文件：1.61428 Mbytes Page：37 Pages | TI 德州仪器 | | ||
丝印代码：C327；PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: BC337. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. driver and output stages of audio amplifiers. | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Amplifier Transistors(PNP)
| MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: JC337. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. driver and output stages of audio amplifiers. | PHILIPS 飞利浦 | | ||
BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 100 to 500 MHz frequency range. • Guaranteed Performance @ 400 MHz, 28 Vdc Output Power = 80 Watts over 225 to 400 MHz Band Minimum Gain = 7.3 dB @ 400 MHz • Bu | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Silicon NPN Transistor Power Amp, Switch Description: The NTE327 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for use in industrial amplifier and switching circuit applications. Features: ● High Collector–Emitter Sustaining Voltage ● High DC Current Gain ● Low Collector–Emitter Saturation Voltage ● Fast Switching Time | NTE | |
LM327产品属性
- 类型
描述
- Vin (Max) (V)：
5.5
- Vout (Min) (V)：
0.4
- Vout (Max) (V)：
4.2
- Iout (Max) (A)：
1
- Iq (Typ) (uA)：
1400
- Switching frequency (Min) (kHz)：
2100
- Switching frequency (Max) (kHz)：
2700
- Features：
Adaptive/Dynamic Voltage Scaling
- Operating temperature range (C)：
-30 to 85
- Rating：
Catalog
- Regulated outputs (#)：
1
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NS |
22+ |
QFN-32 |
20000 |
公司只做原装 品质保证 |
|||
NS/美国国半 |
2450+ |
QFN |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
TI |
25+ |
QFN |
3000 |
原厂原装,价格优势 |
|||
TI |
20+ |
NA |
53650 |
TI原装主营-可开原型号增税票 |
|||
NS |
22+ |
LLP |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
TI |
24+ |
32-WQFN(5x5) |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
TI |
22+ |
32WQFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
NSC |
2010+ |
LLP |
1055 |
全新 发货1-2天 |
|||
TexasInstruments |
18+ |
ICREGCTRLRBUCKPWMCM32-LL |
6580 |
公司原装现货/欢迎来电咨询! |
|||
TI/NS |
24+ |
WQFN32 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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2023-2-22LM324MTXPB
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2022-4-18LM324NE3
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2021-11-30LM3291TME/NOPB
类别 RF/IF 和 RFID RF 调制器 制造商 Texas Instruments 系列 - 包装 剪切带（CT） Digi-Reel? 零件状态 不適用於新設計 功能 调制器 封装/外壳 12-WFBGA，DSBGA 基本产品编号 LM329
2021-1-19LM331A/LM331B/LM331AU/LM331AU2 3PEAK 比较器 吉隆达代理直销
LM331A/LM331B/LM331AU/LM331AU2 3PEAK 比较器 吉隆达代理直销
2020-7-8LM329AH-精密基准
LM129/LM329精密基准 一般描述 LM129和LM329的家庭多是精密电流温度补偿的参考动态6.9V齐纳阻抗10至100倍以上的分立二极管少。在一个单一的硅芯片建造，由LM129使用有源电路来缓冲内部齐纳允许设备对工作在0.5 mA至15毫安范围内，几乎性能没有变化。 LM129和LM329的可与0.001，0.002选定的温度系数，0.005和0.01％/° C的这些提法也有优秀的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供噪音低，更好的长期稳定性比传统集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程，以
2013-3-21
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