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MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

FEATURES  High-speed switching, Low On-resistance  1.2V Low gate drive  ESD protected  Available in SC89-3 package DESCRIPTION VDS=20V VGS=±8V ID(A)=0.83A RDS(ON)=200mΩ(Typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=245mΩ(Typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=310mΩ(Typ.)@VGS=1.8V RDS(ON)=380mΩ(Typ.)@VGS=1.5V RDS(ON)=

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AITSEMI

100V N-Channel MOSFET

General Description The AO4452 is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpose applicatio

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

Pushbutton valve

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FESTOFesto Corporation.

费斯托

FESTO

115dB 768kHz 32-bit 2ch Premium DAC

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AKMAsahi Kasei Microsystems

旭化成微电子旭化成微电子株式会社

AKM

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AKMAsahi Kasei Microsystems

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更新时间:2025-8-6 8:30:01
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