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LL1608-FH1N2S

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) High Efficiency/Linearity Amplifier The MMA25312B is a high efficiency InGaP HBT amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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Multilayer Chip Inductors

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Multi-layer Chip Inductors - Ceramic

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CT

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LL1608-FH1N2S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LL1608-FH1N2S

  • 功能描述

    INDUCTOR 1.2NH +-0.3NH SMT

  • RoHS

  • 类别

    电感器,线圈,扼流圈 >> 固定式

  • 系列

    LL1608-FH

  • 标准包装

    500

  • 系列

    1331

  • 电感

    1.2µH

  • 电流

    247mA 电流 -

  • 饱和

    247mA 电流 -

  • 温升

    -

  • 类型

    铁芯体

  • 容差

    ±10%

  • 屏蔽

    屏蔽 DC

  • 电阻(DCR)

    最大 730 毫欧

  • Q因子@频率

    40 @ 7.9MHz 频率 -

  • 自谐振

    130MHz 材料 -

  • 芯体

  • 封装/外壳

    0.312 L x 0.115 W x 0.135 H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装

    带卷(TR)

  • 工作温度

    -55°C ~ 105°C 频率 -

  • 测试

    7.9MHz

更新时间:2025-11-26 23:00:00
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