型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

262,144-Bit Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Description: The NTE21256 is a 262,144 word by 1–bit dynamic Random Access Memory. This 5V–only component is fabricated with N–channel silicon gate technology. Nine multiplexed address inputs permit the NTE21256 to be packaged in an industry standard 16–Lead DIP package. Features of this dev

NTE

替换型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

256K X 1 Bit Dynamic RAM with Page / Nibble Mode

Samsung

三星

262,144-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES

TI

德州仪器

LH21256产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LH21256

  • 制造商

    Sharp Microelectronics Corporation

  • 制造商

    Sharp Microelectronics Corporation

  • 功能描述

    Dynamic RAM, Page Mode, 256K x 1, 16 Pin, Plastic, DIP

更新时间:2026-1-1 16:06:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
37
全新原装 货期两周
SANYO/三洋
24+
TO-3P
39197
郑重承诺只做原装进口现货
SANYO
25+
原厂原封装
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全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
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NTE
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65480
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SANYO
24+
TO-3P
36500
原装现货/放心购买
2022+
33
全新原装 货期两周
OTAX
DIP-3
35560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

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