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LGE3D20120A | Silicon Carbide Schottky Diode 文件：2.98127 Mbytes Page：5 Pages | LUGUANG 鲁光电子 |   | |
LGE3D20120A | 碳化硅肖特基 | LUGUANG 鲁光电子 | | |
Silicon Carbide Schottky Diode General Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications here high efficiency and high reliability are required. Features Zero Forward/Reverse Recovery Current High Blocking Voltage High Frequency Operation Posit | LUGUANG 鲁光电子 | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 文件：1.80835 Mbytes Page：5 Pages | LUGUANG 鲁光电子 | | ||
SiC Schottky Diode Features Low leakage current (IR) Zero reverse recovery current Temperature independent switching behavior Positive temperature coefficient on VF High surge current capacity Low capacitive charge Applications Switch mode power supplies (SMPS) Uninterruptible power supplies Server/telec | BASICSEMI 基本半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2022-8-2LHA-1H+
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2021-6-30LI10768T104HB3001 本公司只做原装正品，欢迎新老客户的支持。
做的是诚信，卖的是良心。
2021-1-17LGA676-P1Q2-24-Z 发光二极管 十年IC，只做原装。
LGA676-P1Q2-24-Z 十年IC，只做原装。
2020-10-15LFXP2-5E-5FTN256C
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2019-12-25
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