| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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LET21004 | RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package DESCRIPTION The LET21004 is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 26 V in common source mode at frequencies up to 2.1 GHz. LET21004 boasts the excellent | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
GaAs Varactor Diodes Abrupt Junction Description Microsemi’s GaAs abrupt junction varactors are fabricated from epitaxial layers grown at Microsemi using Chemical Vapor Deposition. The layers are processed using proprietary techniques resulting in a high Q factor and very repeatable tuning curves. The diodes are available in a varie | Microsemi 美高森美 | | ||
Three-Channel LCD Bias Power Management IC with Three-Channel High-Efficiency White LED Driver 文件：5.9304 Mbytes Page：26 Pages | SKYWORKS 思佳讯 | |
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