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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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LCE60P04SN | 丝印代码：60P04SN；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：946.27 Kbytes Page：6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 |   | |
丝印代码：NCE60P04R；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：987.53 Kbytes Page：6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 | | ||
丝印代码：60P04Y；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：818.33 Kbytes Page：6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 | | ||
丝印代码：NCE60P04R；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P04R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-4.3A RDS(ON) | NCEPOWER 新洁能 | | ||
丝印代码：60P04SN；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P04SN uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-4A RDS(ON) | NCEPOWER 新洁能 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
YAGEO |
25+ |
DO-201 |
59948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
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YAGEO |
25+ |
DO-201 |
50000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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LCE7.5 |
25+ |
1936 |
1936 |
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VishayLittelfuse |
24+ |
DO-201 |
55000 |
||||
LITTLEFUSE |
24+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
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UN SEMICONDUCTOR |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23-3 |
986966 |
国产 |
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NEC |
23+ |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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LITTELFUSE |
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2019-7-2
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