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LC35W1000BTS-10U

Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM

Overview The LC35W1000BM and LC35W1000BTS-70U/10U are asynchronous silicon gate CMOS static RAM devices with a 131,072-word by 8-bit structure. They provide two chip enable pins (CE1 and CE2) for device select/deselect control and one output enable pin (OE) for output control. They feature high s

SANYO

三洋

更新时间:2025-12-20 20:00:00
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