位置:首页 > IC中文资料 > LBSS138LT1G

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
LBSS138LT1G

丝印代码:J1;Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts N?밅hannel SOT-23

文件:938.15 Kbytes Page:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

LBSS138LT1G

MOSFET场效应管

LEIDITECH

雷卯电子

LBSS138LT1G

小信号MOSFET

LRC

乐山无线电

LBSS138LT1G

Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts N-hannel SOT-3

文件:171.55 Kbytes Page:5 Pages

LRC

乐山无线电

Power MOSFET 200 mAmps

文件:587.86 Kbytes Page:7 Pages

LRC

乐山无线电

场效应管(MOSFET)

ELECSUPER

静芯

Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts N-hannel SOT-3

文件:171.55 Kbytes Page:5 Pages

LRC

乐山无线电

丝印代码:J1;Power MOSFET 200 mA, 50 V

Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23 Typical applications are DC−DC converters, power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. Features • Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V−1.5 V) Makes

ONSEMI

安森美半导体

丝印代码:J1;Power MOSFET 200 mA, 50 V

文件:133.13 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 200 mA, 50 V N?묬hannel SOT??3

文件:64.019 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 200 mA, 50 V

文件:133.13 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

LBSS138LT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • VDSS (V):

    50

  • VGS(V):

    20

  • ID (A):

    0.2

  • VGSth Min (V):

    0.5

  • VGSth Max (V):

    1.5

  • td(on) (ns):

    20

  • td(off) (ns):

    20

  • RDS(ON)Max @VGS/IDS (mΩ):

    3500

  • VGS/IDS (V)/(A):

    5/0.2

  • Package:

    SOT-23

  • Polarity:

    N-Channel

更新时间:2026-5-21 18:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SIPAT
24+
DIP7320
66800
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源!
DIODES/美台
24+
N/A
500000
美台原厂超低价支持
重庆二十六所
25+
2789
全新原装自家现货!价格优势!
23+
SMD
618000
明嘉莱只做原装正品现货
LRC
26+
SOT23
300000
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
LRC/乐山无线电
26+
SOT-23
60000
原厂原装现货 价超好实单必成
ON/安森美
2025+
SOT23-3
434
原装进口价格优 请找坤融电子!
LRC
23+
SOT-23
9000
正规渠道,只有原装!
26所
22+
100
原装正品!现货库存!量大可订货!
LRC
19+
SOT23
8000

LBSS138LT1G数据表相关新闻