型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
L6386AD013TR

High-voltage high and low side driver

Description The L6386AD is an high-voltage device, manufactured with the BCD OFF-LINE technology. It has a driver structure that enables to drive independent referenced Channel Power MOS or IGBT. The high-side (floating) section is enabled to work with voltage rail up to 600 V. The Logic Inputs

STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6386AD013TR

High voltage high and low-side driver

文件:293.14 Kbytes Page:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6386AD013TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    L6386AD013TR

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    High-voltage high and low side driver

更新时间:2025-11-18 11:46:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
2450+
SOP14
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
ST/意法半导体
21+
SOIC-14
8860
只做原装,质量保证
ST/意法半导体
24+
SOIC-14
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
ST/意法
24+
SOP-14
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
ST
25+
SOP-14
1856
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
STM
10+
SOP-14
7800
全新原装正品,现货销售
ST
23+
SOP14
32732
原装正品代理渠道价格优势
ST
2447
SOP14
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ST
20+
SOP14
6793
终端可以免费供样,支持BOM配单!
STMicr
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!

L6386AD013TR数据表相关新闻

  • L6388ED013TR 栅极驱动器

    L6388ED013TR 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款栅极驱动器芯片。它是一款高压高低侧驱动器,采用 BCD “离线” 技术制造,能够驱动功率 MOSFET 或 IGBT 器件组成的半桥电路。

    2025-7-4
  • L6385ED013TR 栅极驱动器

    L6385ED013TR 栅极驱动器适用于电机控制、电源转换、逆变器等多种需要高压栅极驱动的应用场景

    2024-10-30
  • L6387ED013TR

    L6387ED013TR

    2023-10-13
  • L6393DTR

    MOSFET DRVR 600V 0.43A 1Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14Pin SOIC T/R 半桥 栅极驱动器 IC 非反相 14-SO

    2022-8-19
  • L6353-智能驱动的功率MOS和IGBT的

    描述 该L6353设备是智能驱动,所有的驱动和保护知识“已装船“。在这两个DIP和SO封装,可触发的逻辑电平或从一个信号optocoupleror脉冲变压器。它过滤寄生输入信号和驱动器的任何MOSor的IGBT。 特点 峰高输出电流能力(+8A) 宽电源电压范围(12.5至18V的) 0至-7.5V的负偏压电源范围 过电流和饱和度下降保护的外部电源设备(外部可编程) 闭锁保护(IGBT)的 两步开启(可编程) 正电源防护欠压 使用光耦器兼容输入

    2013-2-28
  • L6370-2.5A的高边驱动器工业智能功率开关

    L6370是一款单片智能功率BCD技术在移动电站开关,驾驶感性或阻性负载。一个内部钳位二极管可以归纳快速退磁负载。 CPU的反馈和广泛的诊断使用电器的保护,使该器件非常坚固耐用,特别适合工业自动化应用。 特点 * 2.5A输出电流 * 9.5V至35V电源VOLTAGERANGE * 内部电流限制 * 热关断 * 空地保护 * 内部负电压钳位,以VS - 50V快速退磁 * 与大共模范围和阈值迟滞差分输入 * UNDERVOLTAGELOCKOUTWITHHYSTERESI

    2012-11-13